小黄人萝莉社交佳作:精美互动玩偶小黄人萝莉交,中国成功研制国际首支P波段大功率超构材料速调管三星两大部门死磕2nm良率50%!誓要抢先量产力压台积电不过这一进展既反映出公司在国内业务开拓力度,却也透露了其海外市场的某种变化。
《小黄人萝莉社交佳作:精致互动玩偶——小黄人萝莉交》
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北京6月8日电 (记者 孙自法)中国科学院高能物理研究所(高能所)8日发布消息说,该所建于广东的大科学装置中国散裂中子源(CSNS),最新研制成功国际首支P波段大功率超构材料速调管,标志着中国在大功率速调管创新研究基础上实现又一次重大突破。
作为中国散裂中子源直线加速器射频功率源系统的核心设备,P波段大功率速调管为直线加速器束流提供能量和动力,相当于汽车发动机,此前全部依赖进口。2021年以来,中国散裂中子源加速器射频团队联合电子科技大学段兆云研究小组、中国科学院高能所环形正负电子对撞机速调管团队及昆山国力电子科技股份有限公司研究院速调管研究室,共同开展P波段324兆赫兹速调管研制。
研制项目组首次提出采用谐振腔加载超构材料技术设计324兆赫兹大功率速调管,经过4年多技术攻关完成研发和加工制造,并于近日在中国散裂中子源现场完成设备高功率测试,结果表明,关键技术指标全部达到设计要求,并在峰值2.5兆瓦功率顺利通过48小时长期稳定性测试。据悉,该速调管计划于2026年9月正式上线应用。
中国散裂中子源直线加速器首支紧凑型P波段大功率超构材料速调管。(中国科学院高能所 )
中国散裂中子源直线加速器首支紧凑型P波段大功率超构材料速调管项目验收会,7日在中国科学院高能所东莞研究部的中国散裂中子源园区举行,验收组听取项目组的研制和测试汇报,对324兆赫兹超构材料速调管48小时稳定工作实验数据进行审核认定,认为关键技术指标满足要求,一致通过现场验收。
业内专家表示,作为国际首支成功研制的P波段大功率超构材料速调管,其在大科学装置、医疗及其他工业领域具有广阔应用前景。中国散裂中子源研制的324兆赫兹超构材料速调管此次顺利通过验收,既是中国在该领域从依赖进口到自主创新的关键跨越,也彰显中国在高端射频器件研发领域的核心实力。
中国科学院高能所副所长、中国散裂中子源二期工程总指挥王生指出,324兆赫兹超构材料速调管应用超构材料等前沿技术,在主要技术指标达到国际先进水平的前提下,腔串结构体积相比国外同类装置减少约50%,不但降低了造价,也是P波段大功率速调管技术一次质的飞跃。
近年来,中国散裂中子源不断提升自主创新能力,开展大量关键技术攻关并取得重要进展,通过与中国高科技企业联合攻关,还成功研制氢闸流管和金属陶瓷四极管等设备,性能均达到国际先进水平。目前,中国散裂中子源加速器关键核心设备已全部实现国产化。(完)
快科技6月12日消息,据韩媒报道,三星系统LSI与晶圆代工两大事业部正在加速提升Exynos 2600芯片的性能与良率,以降低成本并提升竞争力。
此前,三星2纳米GAA制程的良率仅为30%,但随着研发的持续投入,良率已从上个月开始向50%目标迈进。
但为了实现量产的经济效益,三星需要将良率进一步提升至70%以上。
三星Galaxy S26计划明年2月发布,而搭载的Exynos 2600原订5月进入试产却遇到挑战,但进度仍符合预期。
在完成原型芯片的量产阶段后,将进入风险性量产流程,若一切顺利,正式生产将在Galaxy S26系列发表前的两至三个月启动。
三星在2025年第一季财报中强调,稳定2纳米GAA制程的良率是当前的首要任务,并计划在下半年展开全面量产,以吸引更多下一代制程的主要客户。
此外,有传闻称三星已成功与高通洽谈,为Galaxy手机搭载的Snapdragon 8 Elite Gen 2进行2纳米制程代工,但尚未获得官方确认。