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大家记得不记得，在3nm工艺时，三星立了一个巨大的Flag，说要追上甚至超过台积电。
为此，三星一是激进的采用了GAAFET晶体管技术，而台积电在3nm时，还采用的是老迈的FinFET晶体管技术。
同时，三星还比台积电提前半年就量产3nm芯片，以此来显示自己的能力和实力，希望能够从台积电那里抢一点客户过来。
不曾想，因为激进的做法，导致三星的3nm良率一直非常低，据称还不到20%，毕竟GAAFET晶体管技术，虽然更先进，但没这么简单，三星是第一个吃螃蟹的人，也要有做螃蟹夹手的准备。
这么低的良率，意味着制造10颗芯片，有8颗是坏的，2颗才能用，这导致芯片成本提高N多，同时产能也非常小，毕竟80%的产能是废产能。
更重要的是，三星的3nm工艺，实际上有点拉稀，因为其晶体管密度，只和台积电的5nm差不多，空有3nm之名，实际一塌糊涂。